随着HBM4等新一代产品逐步推进，英特于下内存接口的海合作或用引脚数量预计将从约1024个增至2048个，硅通孔（TSV）的力士城市生活使用规模也将同步扩大，这对封装互连以及系统集成能力提出了更高要求。封装

SK海力士指出，英特于下面向先进AI加速器的海合作或用下一代存储器，必须融合2.5D封装、力士混合键合以及3D DRAM整合等多种技术，封装方能实现更高的英特于下城市生活带宽、更大的海合作或用容量以及更复杂的芯片间连接。因此，力士先进封装已成为推动HBM持续演进的封装关键环节。

随着越来越多客户希望减少对台积电CoWoS平台的英特于下依赖，并寻求供应链多元化，海合作或用英特尔EMIB产品组合的力士吸引力正逐步增强。其中，EMIB-T尤其受到市场关注。该方案引入TSV技术，能够在多颗堆叠芯片之间实现垂直供电，这与SK海力士针对3D内存模块所提出的封装级垂直供电设想相契合。

成本同样是英特尔封装方案的一大优势。此前有消息称，EMIB-T与台积电CoWoS之间的成本差距最高可达50%，具体差异取决于方案是否需采用价格高昂的中介层。较低的封装成本有助于客户将更多资金投入其他生产环节。

对SK海力士而言，若其客户通过EMIB-T降低封装成本，节省下来的预算便可能用于增加HBM采购，进而转化为更高的产品需求与营收。若这一合作顺利推进，不仅能为SK海力士拓展下一代HBM市场提供支撑，也可能成为英特尔代工业务在先进封装领域争取更多外部客户的重要突破。