三星确认HBM4E单针速率达16Gbps，单堆栈带宽或超4TB/s

这一动向被视作三星半导体部门在高带宽存储器技术领域迈出的关键一步。自今年5月底起，三星已开始交付单针速率达14Gbps的HBM4E产品；如今确认将速率推进至16Gbps，表明其产品性能拓展与制程升级正按既定节奏展开。相比之下，三星当前供应的HBM4产品单针速率为11.7Gbps，HBM4E在传输速度上实现了显著跃升。

按现有14Gbps规格估算，单个HBM4E堆栈在配备2048个引脚时，理论峰值带宽可达3.6TB/s。若单针速率提升至16Gbps，单堆栈的最高带宽将进一步攀升至4TB/s。考虑到一颗AI加速器或高性能GPU通常可能搭载约12个HBM堆栈，整套显存子系统所能提供的总带宽将相当可观，足以支撑大模型训练、推理以及高性能计算等对数据吞吐要求极为严苛的应用场景。

在容量层面，三星目前可提供12层堆叠的HBM4E产品，单堆栈容量为48GB。为满足后续客户需求，公司还规划推出8层、32GB版本，以及16层、64GB版本，以适配不同AI计算平台与封装方案的容量配置要求。

制造工艺方面，三星HBM4E采用经DRAM优化的第六代10纳米级制程，并通过多层堆叠方式构建高带宽存储结构。此外，HBM4E还将搭载基于三星4纳米SF4工艺打造的定制化基础裸片，以契合客户在不同先进封装方案中的集成需求，同时提升产品的灵活性与适配度。