英特尔高数值孔径EUV晶圆处理量破百万片，先进制程量产能力获验证

这一里程碑是在美国加利福尼亚州蒙特雷举办的SPIE光掩模技术与极紫外光刻会议上对外披露的。英特尔称，其高数值孔径EUV晶圆处理量已超过全球其他采用该技术的芯片制造商的总和，进一步强化了公司在这项新兴技术上的领跑地位。

高数值孔径EUV是极紫外光刻技术的升级版本，其数值孔径由传统EUV设备的职业规划指南0.33提升至0.55，可在晶圆上刻画更精细的图形，并有望简化部分复杂的多重曝光流程。对先进制程而言，这代表着更高的晶体管密度、更低的制造复杂度，以及进一步改善芯片性能与能效的可能性。不过，此类设备的成本及工艺要求也显著提高。

目前，英特尔已在俄勒冈州部署至少三台高数值孔径EUV光刻机，并将其用于部分Intel 18A制程的生产。公司表示，采用该技术制造的部分Panther Lake处理器层，在套刻精度、生产吞吐量和设备可用率方面均达到预期目标。

需要指出的是，英特尔并未将整个18A制程完全交由高数值孔径EUV处理，而是选择部分关键层进行生产。这些层同时通过高数值孔径EUV和传统0.33数值孔径EUV设备进行验证，以对比两种技术的制造表现。英特尔表示，采用高数值孔径EUV生产的部分18A层，其性能已达到或超过传统EUV平台制造的对应层。

这些成果也与英特尔此前公布的Panther Lake处理器规划相契合。Panther Lake属于英特尔Core Ultra Series 3系列，基于18A制程打造。通过在部分产品层引入高数值孔径EUV，英特尔能够在不过度依赖新设备的情况下积累实际量产经验，并为未来更先进的制程奠定基础。

英特尔晶圆代工部门表示，当前高数值孔径EUV已进入量产阶段，公司正持续优化设备参数、运行时间和制造流程。同时，英特尔与ASML保持紧密协作，以进一步提升该技术的成熟度，并根据客户需求确定未来制程中高数值孔径EUV的应用范围。

除了晶圆处理量突破百万片之外，英特尔还在推进更大尺寸光掩模的研发。由于高数值孔径EUV设备目前采用的光掩模尺寸较小，单次曝光的芯片面积受到限制。对于未来面积更大的数据中心芯片和AI加速器而言，这可能成为影响生产效率的关键因素。

为应对这一挑战，英特尔已联合ASML、光掩模制造商、自动化设备供应商、EDA软件企业、材料供应商及其他芯片制造商，共同推动6×12英寸大型光掩模的标准化及配套基础设施建设。公司表示，客户目前可通过现有6英寸光掩模使用高数值孔径EUV，既能在掩模范围内设计芯片，也可借助拼接技术和工艺设计套件满足更大面积的制造需求。

英特尔认为，未来AI产品对先进制造技术的要求将不断提升，芯片制造不仅需要更高的性能与密度，还需具备稳定的量产能力和较低的采用门槛。通过提前推动高数值孔径EUV进入生产环境，英特尔希望为客户提供更成熟的先进制程选项。

对英特尔而言，这一进展的意义不仅在于光刻设备本身，更在于公司正逐步积累高数值孔径EUV的量产经验。与传统EUV相比，高数值孔径EUV在设备成本、工艺控制、光掩模设计和生产效率方面均面临更高要求，因此，谁能更早完成从研发到稳定生产的过渡，谁就更有可能在未来先进制程竞争中占据优势。

不过，英特尔目前仍仅将高数值孔径EUV应用于部分18A层，这并不意味着所有先进制程都已全面采用该技术。未来能否扩大应用范围，还需取决于设备吞吐量、生产成本、良率以及客户对制程的实际需求。

总体而言，英特尔高数值孔径EUV晶圆处理量突破100万片，标志着这项下一代光刻技术正从早期验证阶段迈向更成熟的生产应用。随着英特尔持续推进18A及后续14A制程，高数值孔径EUV有望成为其先进制造战略中的关键组成部分。